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　　半导体工艺的日益改进以及便携式电子产品的发展，大大推动了电源管理芯片的发展。低压差线性稳压器作为其中重要的一员，以其转换效率高、基金项目：国家高技术研究发展计划项目（2009AA12Z314）体积小、噪声低以及成本低等优点，被广泛应用于便携式电子产品中。传统LO依靠输出端外接电容的等效串联电阻（ER）为系统补偿一个左半平面零点，以保持系统稳定。

　　采用Cadne仿真工具进行仿真是整个系统环路在没有输出电流时的交流特性响应图，由图可以看出系统的相位裕度超过90°所以它有一个很好的稳定性。

　　mA寸的一个瞬态响应图，一方面可以由图看出瞬态过冲290 mY此值与传统IDO的过冲值相比，还是有一定差距，所以减少瞬态过冲是无片外电容IDO设计的难点之一；另一方面还可以从仿真的响应曲线看出，当输出电流从50mA到0mA再从0mA跳变到50mA寸，IDO输出电压的过冲几乎都没有振铃现象，这也很好地说明整个环路的稳定性比较好。

　　（a）负载电流变化脉冲曲线（b>输出电压响应曲线3版图设计与测试结果版图设计作为电路系统与电路芯片制造两者之间的一个桥梁，它设计的好坏直接影响芯片性能的好坏，甚至能导致芯片不能工作。本文设计的IDO线性稳压器是以模拟器件为主的数模混合电路，设计时，为了减少电路的失调电压，需要保证电路整体的良好匹配。设计误差放大器的版图时，要注意其差分输入对管：为了保证Mi和M2两管之间有一个很好的匹配特性，要采用四方交叉共质心画法。因为误差放大器是全差分对称结构，在版图设计规划时，可以先画一半，再采取调用的方法设计另外一半，以实现电路版图良好的对称性。电阻R和R使用PLY电阻，而且要求比较高的匹配精度，所以要将他们分成一定数目的小电阻串联，然后小间距的交叉排列，后在两侧放置Dum>电阻，这样就能实现良好的匹配。对于功率管的放置，因其可能是一个热源，这就需要考虑其他对称管要放在同一等温线上。需要注意的是对所有的管子要增加衬底或阱接触，尤其是功率管，因为其尺寸一般都很大，需要减小衬底电阻来防止闩锁效应整个电路采用SMC0.18mCM0SC艺实现，电路系统整体版图如所示，包括LO核心模块、基准电压模块和过温保护模块。

　　电路版图在室温条件下，测得芯片在输入电压1. 66~3.0囔能正常工作。当输入电压为1.8V时，室温条件下部分芯片测试结果如表1所示。

　　表1无片外电容LO的部分测试结果参数数值压差/mV大输出电流/mA输出电压/V负载调整率/静态功耗WA芯片面积/mm2 4结论针对无片外电容io稳定性问题，采用了如中误差放大器结构，结合密勒补偿和一阶等效RC补偿这两种补偿方案设计出一款高稳定性无片外电容LDD它能在输出电流0~50mA中稳定工作。本文设计的LD在输入电压为1.66~3.0V的范围内，都能提供一个稳定的1.5V的输出电压，且不需要片外的大电容来进行补偿，从而有效地减少了PCB的使用面积，降低了成本，为把ID全集成到WSNS片内部做出了一定的贡献。