IRFP460 ★现货热销★场效应★MOS管★IR★500V 20A 2★ 　类别：分离式半导体产品 　　家庭：MOSFET，GaNFET - 单 　　系列：MegaMOS™ 　　FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 　　FET 特点：标准型 　　开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 12A, 10V 　　漏极至源极电压(Vdss)：500V 　　电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A 　　Id 时的 Vgs(th)（*大）：4V @ 250µA 　　闸电荷(Qg) @ Vgs：210nC @ 10V 　　在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4200pF @ 25V 　　功率 - *大：260W 　　安装类型：通孔 　　封装/外壳：TO-247AD 　　包装：管件